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晶闸管、整流二极管专用静态参数试验平台
主要技术指标：2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT1.阳极电压：12V;2.阳极串联电阻：6Ω;3.门极触发电压：0.3～
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2025-04-03 |
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整流桥 晶闸管模块可靠性测试仪
一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7
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2025-04-02 |
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IGBT动态参数测试仪
核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat
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2025-04-01 |
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IGBT7KV/20000A动态测试系统
西安智盈电气科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试设备自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业， 核心业务
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2025-03-31 |
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10万安浪涌测试系统
西安智盈电气科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试设备自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业， 核心业务
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2025-03-28 |
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可控硅综合参数测试仪
核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat
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2025-03-27 |
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IGBT9KA/8KV静态测试系统
西安智盈电气科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试设备自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业， 核心
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2025-03-26 |
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模块高温阻断试验设备
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根
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2025-03-25 |
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